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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
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射频开关

DC-18000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1S8T2418T
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射频开关

DC-18000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1S8T1218T
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全正电,匹配式 SPST

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:50dB,
HGC119
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匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
HGC114
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匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,
HGC112
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匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC112PD
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC115
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全正电,匹配式 SPT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC120
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HG166KB
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GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:50dB,
ISW3B1
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:49dB,
ISW4B1
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单刀四掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,芯片尺寸:1.5*2.0*0.1
AMSW0002S