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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
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射频开关

DC-18000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1S8T2418T
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射频开关

DC-18000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1S8T1218T
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匹配式 SPT

频率:0-10GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC118-PD
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GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT