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GaAs超宽带分布式放大器

频率:1-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:30dBm,10V,320mA
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电调衰减器芯片

频率:0-40GHz,损耗:2.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:20
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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固定衰减器芯片

频率:0-20GHz,衰减度:3dB,射频端口:键合金丝
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MEMS带通滤波器

频率:17.8-23GHz,中心频率插损:1.1dB
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MEMS带通滤波器

频率:20-22GHz,中心频率插损:1.7dB
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MEMS带通滤波器

频率:20.15-22.15GHz,中心频率插损:1.7dB
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MEMS带通滤波器

频率:20.5-22.3GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:20.05-23.3GHz,中心频率插损:1.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:21.8-22.2GHz,中心频率插损:3.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:21.4-22.8GHz,中心频率插损:2.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:21.9-23.4GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:21.3-23.89GHz,中心频率插损:1.6dB
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MEMS带通滤波器

频率:21.6-24.9GHz,中心频率插损:1.5dB