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功率放大器芯片

频率:2.1-2.7GHz,增益:29dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.1-2.7GHz,增益:23dBm,输出功率:33dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:17dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:12dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.9GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.7-3.5GHz,增益:27dBm,输出功率:41dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2.7-3.5GHz,损耗:5.8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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电调衰减器芯片

频率:0-4GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:23
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电调衰减器芯片

频率:2-3GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:30
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-4GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB