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-
筛选项:
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
NC1670C-218
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1678C-2540R
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1677C-1830R
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
NC1620C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
NC1643C-106PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16106C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
NC16113C-106PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
NC1603C-110
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1633C-2227PD
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1677C-1830
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1678C-2540
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
NC16606C-3436
...

开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:50dB,
HG123KF-1
...

全正电，匹配式 SPDT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC127
...

全正电，反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018

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