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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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开关

8-18GHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关

4000-8000MHz单刀八掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

22-40GHz射频开关,单刀双掷,损耗3dB,隔离60dB,2.92-K
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开关

22-40GHz单刀六掷开关,损耗6dB,隔离60dB,2.92-K
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全正电,反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018
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全正电,匹配式 SPT

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1001LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:60dB,
HGC1002LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:50dB,
HGC1005LP4
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单刀三掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC1007LP4
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单刀五掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC1011LP4
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单刀六掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:50dB,
HGC1013LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4
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开关芯片

频率:0.1-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:42dB,1.60*1.00mm×mm
SIS041