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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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一分二功分器芯片

频率:16-28GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:25dB
HG127G
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一分三功分器芯片

频率:30-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:25dB
HG128GB
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一分二功分器芯片

频率:7-13GHz,插入损耗:0.55dB,隔离度:25dB
HG125GB-1
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功分器

400-2700MHz八路0°功分器,SMA-K
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:25dB
HGC157L
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反射式 SPST

频率:0-40GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:25dB,
HGC123
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一分二功分器芯片

频率:12-18GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:24dB
HG126GC
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一分二功分器芯片

频率:21-25GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:25dB
HG127GA