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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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MMIC低通滤波器

频率:0-14GHz
BWLF-14
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MMIC低通滤波器

频率:0-17GHz
BWLF-17
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MMIC低通滤波器

频率:0-7GHz
BWLF-7
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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:18dBm,输出功率:42dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:0-8GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:1,最大衰减:31
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数控衰减器芯片

频率:0-8GHz,损耗:3.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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功率检波器芯片

频率:1-12GHz|射频端口连接:键合金丝
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:4-6GHz,最大增益24dBm
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表面贴装宽带低噪声放大器

频率:0-3GHz,最大增益16dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:5.2-5.8GHz,最大增益30dBm
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向耦合器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:4-7GHz,增益:25dBm,输出功率:9dBm,噪声:0.9,射频端口:键合金丝