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-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16106C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
NC1634C-104
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
NC16511C-0006
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
NC16512C-0006
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
NC16601C-106
...

开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
...

开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG133K-2
...

开关

1000-6000MHz单刀双掷开关，SMA-K
TSS537
...

反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4
...

反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
...

全正电，匹配式 SPT

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021
...

单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:40dB,
HGC1009LP4
...

单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC1010LP4
...

单刀八掷

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021LP4
...

单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4
...

开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:35dB,
HG127K2A

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