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微波开关模块

频率:0-6GHz
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数控移相器芯片

频率:2-6GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:4-7GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控移相器芯片

频率:4.5-5GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:6.3dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:5.3dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:6dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns