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电调衰减器芯片

频率:25-50GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:90-96GHz,损耗:1.8dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
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°两路功分器芯片

频率:40-50GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:18dB
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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全正电,反射式 SPDT

频率:0.1-50GHz,插入损耗:3dB,隔离度:30dB,
HGC121
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GaAsPIN开关

频率:0.05-50GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:35dB,
ISW1H