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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:6.1dB,射频端口:键合金丝,步进:1,最大衰减:63
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GaAs超宽带分布式放大器

频率:1-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:30dBm,10V,320mA
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限幅器芯片

频率:2-18GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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滤波器

52-88MHz带通滤波器,≥40dB@矩形系数2.5
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功分器

10-1000MHz两路0°功分器,SMA-K
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.96GHz-1.215GHz,增益7.5dBm,输出功率:85W,射频端口:贴装焊接
3DA518
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LC带通滤波器

频率:0.06545-0.07455GHz,中心频率插损:3.85dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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功率检波器芯片

频率:1-12GHz|射频端口连接:键合金丝
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CMOS 工艺 并行PIN 驱动器

双路,反相双输出
NC2020-1F
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CMOS 工艺 并行PIN 驱动器

双路,反相双输出
NC2026-1F
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内匹配功率管

频率:1.8GHz-2.3GHz,增益14.5dBm,输出功率:40.5dBm,射频端口:贴装焊接
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低噪声放大器芯片

频率:1-9GHz,增益:21dBm,输出功率:14dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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°两路功分器芯片

频率:2-8GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:16dB