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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:28-38GHz,损耗:1dB,隔离度:30dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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一分三功分器芯片

频率:30-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:25dB
HG128GB
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一分二功分器芯片

频率:21-25GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:25dB
HG127GA