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-
筛选项:
...

微波开关模块

频率:21-24GHz
NC3614M-2124
...

数控移相器芯片

频率:34-36GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,4位及以下位移相器
A1.3.92NC12140C-3436PD
...

数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
NC13106C-3040PD
...

数控衰减器芯片

频率:32-36GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
NC13101C-3236
...

数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:7.5
NC1380C-2540
...

数控衰减器芯片

频率:24-28GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
NC1376C-2428
...

数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:7.75
NC1377C-2540
...

数控衰减器芯片

频率:26-32GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
NC1373C-2632
...

数控衰减器芯片

频率:26-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
NC1378C-2640
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
NC16103C-3040
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
NC1647C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1616C-2540
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16102C-4050
...

耦合器

30-40GHz双定向耦合器，耦合度20dB，插损2dB，2.92-K
ZDC5-20M30-40G-635
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耦合器

30-40单定向耦合器，耦合度20dB，损耗2dB，2.92-K
ZDC5-20M30-40G-646
...

开关

22-40GHz射频开关，单刀双掷，损耗3dB，隔离60dB，2.92-K
DSW9-2R22000-40000-1175

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