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MMIC开关滤波器

频率:24-40GHz
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MEMS带通滤波器

频率:22.3-22.8GHz,中心频率插损:2.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:24.2-28GHz,中心频率插损:1dB
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低噪声放大器芯片

频率:22-26GHz,增益:23dBm,输出功率:10dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:22-32GHz,增益:21dBm,输出功率:1dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:22-32GHz,增益:21dBm,输出功率:1dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:22-27GHz,增益:18dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:24-28GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:24-30GHz,损耗:3.8dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:10dB
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:22-24GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB