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MEMS带通滤波器

频率:2.5-3.9GHz,中心频率插损:1.8dB
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MEMS带通滤波器

频率:2.55-3.9GHz,中心频率插损:1dB
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MEMS带通滤波器

频率:2.75-3.9GHz,中心频率插损:1.6dB
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MEMS带通滤波器

频率:3.1-3.9GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:3-4GHz,中心频率插损:2.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:3.3-3.8GHz,中心频率插损:3dB
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MEMS带通滤波器

频率:3.4-3.8GHz,中心频率插损:3dB
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硅基带通滤波器

频率:3.4-3.9GHz,中心频率插损:2.2dB
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FBAR封装滤波器

频率:3.75-3.82GHz,中心频率插损:2.5dB
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低噪声放大器芯片

频率:2.6-3.8GHz,增益:24dBm,输出功率:11dBm,噪声:1.05,射频端口:键合金丝
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-4GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:4GHz-4GHz,增益10dBm,输出功率:27dBm,射频端口:贴装焊接
NC4117S-4
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GaAs 内匹配功率管

频率:3.4GHz-3.9GHz,增益14dBm,输出功率:42.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:3.6GHz-4GHz,增益11.5dBm,输出功率:35.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:3.6GHz-4GHz,增益10.5dBm,输出功率:40.5dBm,射频端口:贴装焊接
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:2.8-3.8GHz,最大增益18dBm