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数控移相器芯片

频率:4-14GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-7GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-7GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:3-8GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4-10GHz,LO/RF隔离度:21dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-6.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:7dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-8.5GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:7dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3.9-6.2GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:4-5.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:4-11GHz,LO/RF隔离度:13dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:4-11GHz,LO/RF隔离度:13dB,变频损耗:10dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB