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数控移相器芯片

频率:25-27GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:7.5
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数控衰减器芯片

频率:24-28GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:7.75
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数控衰减器芯片

频率:24-30GHz,损耗:3.8dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:25-50GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:10dB
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:25-27GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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低噪声放大器芯片

频率:24-40GHz,最大增益:13dB,噪声系数:1.7dB,输出功率:11dBm,3.3V,69mA
HG118F1