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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns

型号:NC1678C-2540R

MEMS带通滤波器

频率:25.2-31.2GHz,中心频率插损:0.5dB

型号:SIMF28/6-7W2

MEMS带通滤波器

频率:25.17-25.57GHz,中心频率插损:2.8dB

型号:SIMF25R37/R4-4W3

MMIC带通滤波器

频率:24.85-26.5GHz,中心频率插损:3.3dB

型号:BWBF-25/26R25

无引线封装微波开关

频率:25-27GHz

型号:NC3616Q-2527

功率放大器芯片

频率:25-26GHz,增益:21dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝

型号:NC11275C-2526

功率放大器芯片

频率:25-26.5GHz,增益:23dBm,输出功率:15dBm,射频端口:键合金丝

型号:NC11268C-2526

功率放大器芯片

频率:25-27GHz,增益:18dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝

型号:NC11172C-2527

数控移相器芯片

频率:25-27GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器

型号:A1.3.82NC12112C-2627A

数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:7.5

型号:NC1380C-2540

数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:7.75

型号:NC1377C-2540

电调衰减器芯片

频率:25-50GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40

型号:NC13124C-2550

数控移相衰减集成芯片

频率:25.2-26.5GHz

型号:NC15205C-2526SD/A

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns

型号:NC1632C-2527PD

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns

型号:NC1616C-2540

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns

型号:NC1678C-2540

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