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MEMS带通滤波器

频率:32-33.7GHz,中心频率插损:1dB
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MEMS带通滤波器

频率:32.3-35.5GHz,中心频率插损:0.6dB
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MEMS带通滤波器

频率:33.3-35.7GHz,中心频率插损:1.2dB
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MEMS带通滤波器

频率:33-36.8GHz,中心频率插损:0.6dB
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MMIC开关滤波器

频率:30.1-40GHz
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MMIC延时线

频率:33-37GHz,中心频率插损:18dB
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低噪声放大器芯片

频率:33-37GHz,增益:22dBm,输出功率:10dBm,噪声:2.3,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:33-37GHz,增益:16dBm,输出功率:27dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:32-36GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:32-40GHz,损耗:4.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:33-37GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns