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MEMS带通滤波器

频率:3-4GHz,中心频率插损:2.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:3-4.8GHz,中心频率插损:1.3dB
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硅基带通滤波器

频率:3-5.9GHz,中心频率插损:0.8dB
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MMIC高通滤波器

频率:3-21GHz
BWHF-3G
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MMIC巴伦

频率:3-8GHz,中心频率插损:4.5dB
BWBL-3/8
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功率放大器芯片

频率:3-5GHz,增益:25dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:3-5.3GHz,增益:23dBm,输出功率:23dBm,射频端口:键合金丝
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:3-8GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-6.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:7dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-8.5GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:7dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
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滤波器芯片

高通频率:3-12GHz,损耗:2.2dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:3-4.7GHz,最大增益16dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:3-8GHz,最大增益25dBm