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MEMS带通滤波器

频率:33.4-34.8GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:33.6-34.9GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:33.55-35.8GHz,中心频率插损:1dB
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MEMS带通滤波器

频率:34-36GHz,中心频率插损:1.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:34.5-37.5GHz,中心频率插损:0.5dB
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低噪声放大器芯片

频率:40-46GHz,增益:17dBm,输出功率:0dBm,噪声:2.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:34-36GHz,增益:17dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:34-36GHz,增益:15dBm,输出功率:36.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:34-36GHz,增益:15.5dBm,输出功率:41.5dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:34-36GHz,损耗:8.6dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:34-36GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,4位及以下位移相器
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数控衰减器芯片

频率:34-36GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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°两路功分器芯片

频率:34-36GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:17dB
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°两路功分器芯片

频率:40-50GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:18dB