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介质振荡器

频率:11-12GHz,最大增益26dBm
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介质振荡器

频率:12-13GHz,最大增益26dBm
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低噪声放大器芯片

频率:7-13GHz,增益:11dBm,输出功率:21dBm,噪声:2.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:7-14GHz,增益:7dBm,输出功率:21dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:7-14GHz,增益:7dBm,输出功率:21dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:20dBm,输出功率:20dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:20dBm,输出功率:20dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:22dBm,输出功率:19dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:25dBm,输出功率:20dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:25dBm,输出功率:20dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:11dBm,输出功率:20dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:20dBm,输出功率:21dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:23dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:23dBm,输出功率:27dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:12GHz-12GHz,增益7dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC4118S-12
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:14.5GHz-14.5GHz,增益6dBm,输出功率:19.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4144S-14