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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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双工器

双工器频率:6.6-7.4GHz&9-10.2GHz,SMA-K
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双工器

双工器频率:7.7-8.9GHz&10.3-11.5GHz
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双工器

双工器频率7100-7300&7700-9000MHz,SMA-K
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单刀单掷开关

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸:1.9*1.0*0.1
AMSW0001S