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低噪声放大器芯片

频率:7-13GHz,增益:11dBm,输出功率:21dBm,噪声:2.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:10-20GHz,增益:14dBm,输出功率:7dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:11dBm,输出功率:20dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:10-18GHz,增益:13dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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内匹配功率管

频率:6.4GHz-7.2GHz,增益12.5dBm,输出功率:42.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC41145S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:27dBm,射频端口:贴装焊接
NC41143S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益11dBm,输出功率:32.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41142S-8
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低噪声放大器芯片

频率:6-18GHz,最大增益:13dB,噪声系数:2.2dB,输出功率:16.5dBm,5V,55mA
HG116F11
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:13.5dB,噪声系数:3.5dB,输出功率:12dBm,5V,30mA
HG115FP
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:14dB,输出功率:23dBm,5V,0.185mA
HG125F5
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GaAs收发一体多功能芯片

频率:8-12GHz,最大增益:13.5dB,输出功率:12dBm芯片尺寸:3.8*4.5*0.1
AMMF0001S