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GaAs超宽带分布式放大器

频率:1-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:30dBm,10V,320mA
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.96GHz-1.215GHz,增益7.5dBm,输出功率:85W,射频端口:贴装焊接
3DA518
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低噪声放大器芯片

频率:1-3GHz,增益:15dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:1-12GHz,增益:14.5dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1GHz-2GHz,增益11dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:1.057GHz-1.077GHz,增益15dBm,输出功率:36dBm,射频端口:贴装焊接
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CD492
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.87GHz-0.99GHz,增益8.75dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
WD0564
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.87GHz-0.99GHz,增益8.4dBm,输出功率:90W,射频端口:贴装焊接
WD0565
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.87GHz-0.99GHz,增益7.4dBm,输出功率:220W,射频端口:贴装焊接
WD0563