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GaN 功率放大器载体

频率:5-6GHz,最大增益19.5dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:2.7-3.5GHz,最大增益10dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:2.7-3.5GHz,最大增益10dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:8-12GHz,最大增益21dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.3GHz-5.9GHz,增益8dBm,输出功率:47dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.3GHz-5.9GHz,增益8dBm,输出功率:49dBm,射频端口:贴装焊接
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益17dBm,输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CS0406-350
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:470GHz-610GHz,增益15.8dBm,输出功率:420W,射频端口:贴装焊接
CS0406-420
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益17dBm,输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CD493
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:410GHz-510GHz,增益16.5dBm,输出功率:490W,射频端口:贴装焊接
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.87GHz-0.99GHz,增益8.4dBm,输出功率:90W,射频端口:贴装焊接
WD0565
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.96GHz-1.215GHz,增益8.4dBm,输出功率:90W,射频端口:贴装焊接
3DA518C
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.96GHz-0.96GHz,增益8dBm,输出功率:400W,射频端口:贴装焊接
3DA520C
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益8dBm,输出功率:150W,射频端口:贴装焊接
3DA532