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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.4dB,均衡量:4dB
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限幅器芯片

频率:0-18GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
HGC181-1A
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
HGC181-8
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限幅器芯片

频率:3-9GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
HGC181-8B
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限幅器芯片

频率:2-5GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:1.8×1.2mm
HG124X7
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:1.8×1.2mm
HG124X8
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限幅器芯片

频率:4-6.5GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:2×1.5mm
HG124X3
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限幅器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:1×0.6mm
HG126X7
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:40dB,
ISW1
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:40dB,
ISW1B2
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GaAs限幅器

频率:1-4GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
ILM-0104A
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GaAs限幅器

频率:1-8GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
ILM-0108C
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GaAs限幅器

频率:2-8GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
ILM-0208D