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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC16603C-0820
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.4dB，均衡量：4dB
NC6018C-212

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