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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.55dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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限幅器芯片

频率:5-8GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:6-22GHz,损耗:1,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:6-14GHz,损耗:0.55dB,均衡量:6dB
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均衡器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.1dB,均衡量:3dB
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K