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筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1633C-2227PD
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
NC16606C-3436
...

均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB，均衡量：3.5dB
NC6014C-218
...

均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB，均衡量：2dB
NC6015C-218
...

开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:50dB,
HG123KF-1
...

单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.4dB,接口:键合金丝,均衡量:2dB,
HGC136-2
...

单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.4dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC136-6
...

全正电，反射式 SPDT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:45dB,
HGC128
...

单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:40dB,
HGC1009LP4
...

数控衰减器芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,
HGC2005
...

数控衰减器

频率:0.1-6GHz,插入损耗:1.4dB,
HGC2001LP4
...

数控衰减器

频率:0.1-6GHz,插入损耗:1.4dB,
HGC2004LP4
...

数控衰减器

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,
HGC2005LP4
...

开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:35dB,
HG127K2A
...

GaAs FET开关

频率:20-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:53dB,
ISW-2040DT
...

开关芯片

频率:0.1-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:42dB,1.60*1.00mm×mm
SIS041

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