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25~30 (3)
50~270 (3)
-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1646C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
NC16112C-105PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16106C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
NC1602C-118A
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1633C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
NC1647C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1616C-2540
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16102C-4050
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
NC16606C-3436
...

GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
...

开关芯片

#REF!
HG126KB
...

开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:50dB,
HG123KF-1
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
HGC114
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,
HGC112

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