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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
NC1607C-118
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1626C-118
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1627C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118PD
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1611C-2030
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC115
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:45dB,
HG134KA-1

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