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电子开关 (7)
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-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1646C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
NC16112C-105PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
NC1602C-118A
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
NC1647C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1616C-2540
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16102C-4050
...

GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
...

开关芯片

#REF!
HG126KB
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,
HGC112
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC112PD
...

反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,
HGC124
...

反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3.5dB,隔离度:40dB,
HGC125
...

反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,
HGC126
...

全正电，反射式 SPDT

频率:0.1-50GHz,插入损耗:3dB,隔离度:30dB,
HGC121
...

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:3dB,隔离度:35dB,
HGC116MPDLP4

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