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电调衰减器芯片

频率:0-40GHz,损耗:2.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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单片均衡器

频率:26-40GHz,插入损耗:2.2dB,接口:键合金丝,均衡量:4.5dB,
HGC137-5
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开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2.4dB,隔离度:35dB,
HG128KB
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二位dB数控衰减

频率:0-40GHz,插入损耗:2.4dB,步进:10dBm,
SIAT036