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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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介质振荡器

频率:14-15GHz,最大增益15dBm
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介质振荡器

频率:15-15.5GHz,最大增益10dBm
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介质振荡器

频率:16-17GHz,最大增益12dBm
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低噪声放大器芯片

频率:9-19GHz,增益:25dBm,输出功率:13.5dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:9-19GHz,增益:25dBm,输出功率:13.5dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:15dBm,输出功率:16dBm,噪声:2.8,射频端口:键合金丝
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无引线封装低噪声放大器

频率:9-19GHz,最大增益25dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:11-19GHz,最大增益26dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:12-18GHz,最大增益27dBm
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低噪声放大器模块

频率:12.7-18GHz,最大增益35dBm
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GaAs低噪声放大器

频率:12-20GHz,最大增益:18dB,噪声系数:1.8dB,输出功率:17dBm,5V,60mA
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压控振荡器

频率:10-13.5GHz,输出功率:10dBm,相位噪声@100KHz:-94dBc/Hz,5V,60mAmA
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压控振荡器

频率:10.2-13.2GHz,输出功率:11.5dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,60mA
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压控振荡器

频率:9.7-13.8GHz,输出功率:12dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,60mA