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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:1-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-4GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3.9-6.2GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:4-5.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:8-18GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:RF:9-12GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:15-23GHz,LO/RF隔离度:5dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:20-36GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:26-38GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1.9-2.2GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB